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    小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备 HITSemi-LPCVD-150

    小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备在低压高温的条件下，顺利获得化学反应气相沉积的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

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    • 产品描述

    • 小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备在低压高温的条件下，顺利获得化学反应气相沉积的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

      主要特点
      小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本。
      设备为水平卧式结构。
      反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用。
      设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
      系统给予自动控制无扬尘装置。

      技术参数

      产品型号 HITSemi-LPCVD-150
      基片类型 不规则形状的散片、φ2～φ4英寸标准基片
      基片装载数量 标准基片：1片～2片；不规则尺寸散片：若干
      基片放置方式 配置三种基片托架：竖直、水平卧式、带倾角
      真空系统 机械泵、干泵（可选配）
      炉管 石英管ø150mm，长度1200mm
      恒温区长度 300mm
      最高温度 1100℃
      升温速率 0～50℃/min
      恒温区控温精度 ≤±1℃
      工作压强范围 13Pa～1330Pa
      压力控制 闭环充气式控制
      膜层均匀性 优于±5％
      装片方式 手动进出样品
      工艺气体 SiH4 、NH3、N2O、N2
      恒温制冷水箱 可选配
      空气压缩机 可选配
      注：不含尾气处理系统

      设备工作条件

      供电 三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω
      功率 根据设备规模配置，峰值功率（20KW~30KW）
      冷却水 ≤100L/min
      水压 0.1Mpa~0.15MPa
      水温 18℃～25℃
      气动部件供气压力 0.5MPa～0.7MPa
      质量流量控制器供气压力 0.05MPa～0.2MPa
      工作环境温度 10℃～40℃
      工作环境湿度 ≤50%

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